Semikron Danfoss, IGBT-modul, Type N-Kanal, 115 A 1200 V 20 kHz, 7 Ben, SEMITRANS Panelkabinet 2

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 634,69

(ekskl. moms)

Kr. 793,36

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1 enhed(er) afsendes fra 08. april 2026
  • Plus 16 enhed(er) afsendes fra 03. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 634,69
2 - 4Kr. 602,29
5 - 9Kr. 569,90
10 - 19Kr. 507,74
20 +Kr. 467,13

*Vejledende pris

RS-varenummer:
687-4961
Producentens varenummer:
SKM75GB12T4
Brand:
Semikron Danfoss
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Semikron Danfoss

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

115A

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Emballagetype

SEMITRANS

Monteringstype

Panelkabinet

Kanaltype

Type N

Benantal

7

Switching-hastighed

20kHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.1V

Portsenderspænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

175°C

Driftstemperatur maks.

-40°C

Serie

SKM75GB12T4

Højde

30.1mm

Længde

94mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelte IGBT-moduler


Et udvalg af SEMITOP® IGBT-moduler fra Semikron med to serietilsluttede (halv bro) IGBT-enheder. Modulerne findes i en lang række spændings- og strømværdier og er velegnede til en bred vifte af effektomkoblingsapplikationer, f.eks. ac-frekvensomformere og nødstrømsforsyninger.

Kompakt SEMITOP® hus

Velegnet til switching-frekvenser op til 12 kHz

Isoleret kobberbundplade, der anvender teknologi med direkte bundet kobber

IGBT moduler, Semikron


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links