SKM400GB12E4, IGBT-modul, N-Kanal, 616 A 1200 V 12kHz, 7 ben, SEMITRANS3 2 Halvbro

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1.962,85

(ekskl. moms)

Kr. 2.453,56

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 12 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2026
  • Plus 48 enhed(er) afsendes fra 11. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 1.962,85
2 - 4Kr. 1.778,37
5 +Kr. 1.699,83

*Vejledende pris

RS-varenummer:
125-1114
Producentens varenummer:
SKM400GB12E4
Brand:
Semikron Danfoss
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Semikron Danfoss

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

616 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

20V

Antal transistorer

2

Konfiguration

Dual

Kapslingstype

SEMITRANS3

Monteringstype

Skruemontering

Kanaltype

N

Benantal

7

Switching-hastighed

12kHz

Transistorkonfiguration

Halvbro

Dimensioner

106.4 x 61.4 x 30.5mm

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Driftstemperatur min.

-40 °C

COO (Country of Origin):
SK

Dobbelte IGBT-moduler


Et udvalg af SEMITOP® IGBT-moduler fra Semikron med to serietilsluttede (halv bro) IGBT-enheder. Modulerne findes i en lang række spændings- og strømværdier og er velegnede til en bred vifte af effektomkoblingsapplikationer, f.eks. ac-frekvensomformere og nødstrømsforsyninger.

Kompakt SEMITOP® hus
Velegnet til switching-frekvenser op til 12 kHz
Isoleret kobberbundplade, der anvender teknologi med direkte bundet kobber


IGBT moduler, Semikron


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links