onsemi, IGBT, N-Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 759-9273
- Producentens varenummer:
- FGH40N60UFDTU
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 32,84
(ekskl. moms)
Kr. 41,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 37 enhed(er) afsendes fra 14. september 2026
- Plus 242 enhed(er) afsendes fra 18. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 32,84 |
| 10 + | Kr. 28,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 759-9273
- Producentens varenummer:
- FGH40N60UFDTU
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 80A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 290W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.4V | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | Field Stop | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 80A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 290W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.4V | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie Field Stop | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor
IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.