IXYS, IGBT, N-Kanal, 48 A 600 V 40 kHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 791-7416P
- Producentens varenummer:
- IXGH48N60B3
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 526,20
(ekskl. moms)
Kr. 657,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 14 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 28 | Kr. 52,62 |
| 30 - 58 | Kr. 46,935 |
| 60 - 118 | Kr. 43,045 |
| 120 + | Kr. 39,085 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 791-7416P
- Producentens varenummer:
- IXGH48N60B3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 48A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 40kHz | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | GenX3TM 600V IGBT | |
| Længde | 20.32mm | |
| Bredde | 16.26mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 48A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 40kHz | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie GenX3TM 600V IGBT | ||
Længde 20.32mm | ||
Bredde 16.26mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.