STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 40,39

(ekskl. moms)

Kr. 50,488

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 2Kr. 20,195Kr. 40,39
4 +Kr. 19,225Kr. 38,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
792-5805
Producentens varenummer:
STGW40H65FB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

80A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

283W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

20.15mm

Serie

H

Længde

15.75mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links