STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 120 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 33,36

(ekskl. moms)

Kr. 41,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 407 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 33,36
2 +Kr. 31,72

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
792-5827
Producentens varenummer:
STGW80V60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

120A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

469W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

20.15mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

15.75mm

Serie

Trench Gate Field Stop

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links