STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 120 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 33,36

(ekskl. moms)

Kr. 41,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 317 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 33,36
10 - 49Kr. 32,53
50 - 99Kr. 31,76
100 +Kr. 29,72

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
792-5827
Producentens varenummer:
STGW80V60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

120A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

469W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Min. driftstemperatur

-40°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.3V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.75mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

20.15mm

Serie

Trench Gate Field Stop

Bredde

5.15mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.