STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 30 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 57,82

(ekskl. moms)

Kr. 72,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 28,91Kr. 57,82
10 - 24Kr. 24,72Kr. 49,44
26 - 98Kr. 23,30Kr. 46,60
100 - 498Kr. 19,97Kr. 39,94
500 +Kr. 17,765Kr. 35,53

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
795-9136
Producentens varenummer:
STGW30NC120HD
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

30A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

220W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.75V

Portsenderspænding maks.

±25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

20.15mm

Standarder/godkendelser

ECOPACK, JEDEC JESD97

Længde

14.8mm

Bredde

15.75 mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links