Toshiba, Isoleret låge Bipolær transistor, Type N-Kanal, 30 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 25 enheder (leveres i en pose)*

Kr. 798,50

(ekskl. moms)

Kr. 998,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 56 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
25 - 49Kr. 31,94
50 - 199Kr. 30,14
200 - 399Kr. 26,93
400 +Kr. 25,13

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
796-5058P
Producentens varenummer:
GT30J121
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

30A

Produkttype

Isoleret låge Bipolær transistor

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

170W

Emballagetype

TO-3P

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.45V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, Toshiba


IGBT diskrete halvledere og moduler, Toshiba


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.