Toshiba, Isoleret låge Bipolær transistor, Type N-Kanal, 30 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Hulmontering
- RS-varenummer:
- 796-5058P
- Producentens varenummer:
- GT30J121
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 25 enheder (leveres i en pose)*
Kr. 798,50
(ekskl. moms)
Kr. 998,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 81 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 49 | Kr. 31,94 |
| 50 - 199 | Kr. 30,14 |
| 200 - 399 | Kr. 26,93 |
| 400 + | Kr. 25,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 796-5058P
- Producentens varenummer:
- GT30J121
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | Isoleret låge Bipolær transistor | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 30A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Emballagetype | TO-3P | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.45V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype Isoleret låge Bipolær transistor | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 30A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Emballagetype TO-3P | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.45V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, Toshiba
IGBT diskrete halvledere og moduler, Toshiba
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.