Toshiba, Diskret IGBT, N-Kanal, 50 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Hulmontering
- RS-varenummer:
- 796-5064
- Producentens varenummer:
- GT50JR22
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 47,72
(ekskl. moms)
Kr. 59,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 7 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 146 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 220 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 47,72 |
| 10 - 49 | Kr. 30,22 |
| 50 - 124 | Kr. 29,55 |
| 125 - 249 | Kr. 29,17 |
| 250 + | Kr. 28,57 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 796-5064
- Producentens varenummer:
- GT50JR22
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | Diskret IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 50A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Emballagetype | TO-3P | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Portsenderspænding maks. | ±25 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | 6.5th generation | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype Diskret IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 50A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Emballagetype TO-3P | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Portsenderspænding maks. ±25 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie 6.5th generation | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, Toshiba
IGBT diskrete halvledere og moduler, Toshiba
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.