IXYS, IGBT, Type N-Kanal, 105 A 1200 V 50 kHz, 4 Ben, SOT-227B Overflade
- RS-varenummer:
- 804-7622
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-457
- Producentens varenummer:
- IXYN82N120C3H1
- Brand:
- IXYS
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 804-7622
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-457
- Producentens varenummer:
- IXYN82N120C3H1
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 105A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Emballagetype | SOT-227B | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 4 | |
| Switching-hastighed | 50kHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 3.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | GenX3TM | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Nominel energi | 800mJ | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 105A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Emballagetype SOT-227B | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 4 | ||
Switching-hastighed 50kHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 3.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie GenX3TM | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nominel energi 800mJ | ||
IGBT diskrete halvledere, IXYS XPT serien
XPT™ serie af diskrete IGBT-halvledere fra IXYS har ekstrem gennemstanset tynd lysskiveteknologi, hvilket resulterer i nedsat termisk modstand og lavere energitab. Disse enheder giver hurtige omkoblingstider med lille efterstrøm, og findes i en række branchestandardpakker og private pakker.
Høj effekttæthed og lav VCE(sat)
Kvadratisk RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area) op til beregnet overslagsspænding
Kortslutning til 10 usec
Positivt spændingstemperaturkoefficient når tændt
Valgfri Sonisk-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder i pakken
International standard- og egenudviklede højspændingspakker
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- IXYN82N120C3H1 N-Kanal 4 ben, SOT-227B Enkelt
- IXYN100N120C3H1 N-Kanal 4 ben, SOT-227B Enkelt
- IXYN100N120C3 N-Kanal 4 ben, SOT-227B Enkelt
- IXYN80N90C3H1 N-Kanal 4 ben, SOT-227B Enkelt
- IXYN80N90C3H1 N-Kanal 4 ben, SOT-227B Enkelt
- IXA60IF1200NA N-Kanal 4 ben, SOT-227B Enkelt
- IXA70I1200NA N-Kanal 4 ben, SOT-227B Enkelt
- IXDN55N120D1 N-Kanal 4 ben, SOT-227B Enkelt
