STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Hulmontering
- RS-varenummer:
- 829-4666P
- Producentens varenummer:
- STGWT60H65DFB
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 829-4666P
- Producentens varenummer:
- STGWT60H65DFB
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 80A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Emballagetype | TO-3P | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Serie | HB | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 80A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Emballagetype TO-3P | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Serie HB | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, ST Microelectronics
IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.