STMicroelectronics, Gravportfeltstop IGBT, Type N-Kanal, 30 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 42,19

(ekskl. moms)

Kr. 52,738

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 21,095Kr. 42,19
10 - 18Kr. 20,12Kr. 40,24
20 - 48Kr. 18,025Kr. 36,05
50 - 98Kr. 16,195Kr. 32,39
100 +Kr. 15,445Kr. 30,89

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
860-7450
Producentens varenummer:
STGW30H60DFB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Gravportfeltstop IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

30A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

260W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Portsenderspænding maks.

±20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

HB

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

20.15mm

Længde

15.75mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links