STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 29 A 600 V 3.8 μs, 3 Ben, TO-220FP Hulmontering
- RS-varenummer:
- 877-2873P
- Producentens varenummer:
- STGF10NB60SD
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 500 flere for at gemme 1%
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 811,10
(ekskl. moms)
Kr. 1.013,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 490 | Kr. 8,111 | - |
| 500 - 990 | Kr. 8,012 | 1% |
| 1000 - 4990 | Kr. 7,916 | 2% |
| 5000 + | Kr. 7,821 | 3% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 877-2873P
- Producentens varenummer:
- STGF10NB60SD
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 29A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 80W | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 3.8μs | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.75V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Serie | Low Drop | |
| Længde | 30.6mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 10.4mm | |
| Nominel energi | 8mJ | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 29A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 80W | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 3.8μs | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.75V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.6mm | ||
Serie Low Drop | ||
Længde 30.6mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 10.4mm | ||
Nominel energi 8mJ | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT diskrete, ST Microelectronics
IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.