STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 5 A 1200 V 690 ns, 3 Ben, TO-252 Overflade

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 58,17

(ekskl. moms)

Kr. 72,71

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.890 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 11,634Kr. 58,17
25 - 45Kr. 11,052Kr. 55,26
50 - 120Kr. 9,958Kr. 49,79
125 - 245Kr. 8,946Kr. 44,73
250 +Kr. 8,492Kr. 42,46

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
877-2879
Producentens varenummer:
STGD5NB120SZT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

5A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

75W

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

690ns

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.2mm

Højde

2.2mm

Bredde

6.4 mm

Serie

H

Standarder/godkendelser

JEDEC JESD97, ECOPACK

Bilindustristandarder

Nej

Nominel energi

12.68mJ

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links