Infineon, IGBT, Type N-Kanal, 50 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 76,82

(ekskl. moms)

Kr. 96,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 18 enhed(er) afsendes fra 19. marts 2026
  • Plus 180 enhed(er) afsendes fra 30. april 2026
  • Plus 240 enhed(er) afsendes fra 03. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 4Kr. 38,41Kr. 76,82
6 - 18Kr. 33,175Kr. 66,35
20 - 38Kr. 31,49Kr. 62,98
40 - 98Kr. 30,105Kr. 60,21
100 +Kr. 25,845Kr. 51,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-2892
Producentens varenummer:
IKW25N120H3FKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

50A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

326W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Portsenderspænding maks.

±20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.7V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC

Serie

TrenchStop

Bilindustristandarder

Nej

Nominel energi

4.3mJ

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 1100 til 1600 V


En serie af IGBT-transistorer fra Infineon med mærkespænding for kollektor-emitter fra 1100 til 1600 V med TrenchStop™-teknologi. Serien omfatter enheder med integreret højhastigheds, anti-parallel diode med hurtig gendannelse.

• Spændingsområde for kollektor-emitter 1100 til 1600 V

• Meget lav VCEsat

• Lille tab ved slukning

• Kort efterstrøm

• Lav EMI

• Maksimal junction-temperatur 175 °C

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links