MPN

MMBF4393LT1G, JFET, N-Kanal 30 V Single, 3 ben, SOT-23 Enkelt

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.665,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.082,00

(inkl. moms)

Midlertidigt ikke på lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,555	Kr. 1.665,00

*Vejledende pris

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	N
	Idss Drain-Source Cut-off strøm	5 to 30mA
	Drain source spænding maks.	30 V
	Gate source spænding maks.	+30 V
	Drain gate spænding maks.	30V
	Konfiguration	Single
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Drain source modstand maks.	100 Ω
	Monteringstype	Overflademontering
	Kapslingstype	SOT-23
	Benantal	3
	Drain gate on-kapacitet	14pF
	Source gate on-kapacitet	14pF
	Dimensioner	3.04 x 1.4 x 1.01mm
	Bredde	1.4mm
	Driftstemperatur min.	-55 °C
	Driftstemperatur maks.	+150 °C
	Længde	3.04mm
	Højde	1.01mm

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype N
	Idss Drain-Source Cut-off strøm 5 to 30mA
	Drain source spænding maks. 30 V
	Gate source spænding maks. +30 V
	Drain gate spænding maks. 30V
	Konfiguration Single
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Drain source modstand maks. 100 Ω
	Monteringstype Overflademontering
	Kapslingstype SOT-23
	Benantal 3
	Drain gate on-kapacitet 14pF
	Source gate on-kapacitet 14pF
	Dimensioner 3.04 x 1.4 x 1.01mm
	Bredde 1.4mm
	Driftstemperatur min. -55 °C
	Driftstemperatur maks. +150 °C
	Længde 3.04mm
	Højde 1.01mm

JFET transistorer

En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.

Relaterede links