onsemi, JFET, N-Kanal, JFET-Kanal 30 V Enkelt 50 to 150 mA, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 625-5723
- Producentens varenummer:
- MMBF4391LT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 17,43
(ekskl. moms)
Kr. 21,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.255 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 3,486 | Kr. 17,43 |
| 50 - 95 | Kr. 2,992 | Kr. 14,96 |
| 100 - 495 | Kr. 2,604 | Kr. 13,02 |
| 500 - 995 | Kr. 2,274 | Kr. 11,37 |
| 1000 + | Kr. 2,08 | Kr. 10,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 625-5723
- Producentens varenummer:
- MMBF4391LT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Undertype | JFET | |
| Produkttype | JFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Afløbskildestrøm Ids | 50 to 150 mA | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 225mW | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30Ω | |
| Benantal | 3 | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 0.94mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Undertype JFET | ||
Produkttype JFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Afløbskildestrøm Ids 50 to 150 mA | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 225mW | ||
Drain source modstand maks. Rds 30Ω | ||
Benantal 3 | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.3mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 0.94mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal JFET, ON Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.