onsemi, JFET, Type N-Kanal, JFET-Kanal 15 V Enkelt 10 to 20 mA, 3 Ben, CP
- RS-varenummer:
- 792-5164
- Producentens varenummer:
- 2SK3557-6-TB-E
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 65,90
(ekskl. moms)
Kr. 82,375
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 2,636 | Kr. 65,90 |
| 100 - 225 | Kr. 2,274 | Kr. 56,85 |
| 250 - 475 | Kr. 1,972 | Kr. 49,30 |
| 500 - 975 | Kr. 1,729 | Kr. 43,23 |
| 1000 + | Kr. 1,577 | Kr. 39,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 792-5164
- Producentens varenummer:
- 2SK3557-6-TB-E
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | JFET | |
| Undertype | JFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 15V | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | CP | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Afløbskildestrøm Ids | 10 to 20 mA | |
| Benantal | 3 | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | 2SK3557 | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype JFET | ||
Undertype JFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 15V | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype CP | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Afløbskildestrøm Ids 10 to 20 mA | ||
Benantal 3 | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie 2SK3557 | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal JFET, ON Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.