onsemi, JFET, Type N-Kanal, JFET-Kanal Enkelt 2 mA, 3 Ben, TO-92
- RS-varenummer:
- 806-1766
- Producentens varenummer:
- J113
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 110,95
(ekskl. moms)
Kr. 138,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 700 enhed(er) klar til afsendelse
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 2,219 | Kr. 110,95 |
| 500 + | Kr. 1,912 | Kr. 95,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 806-1766
- Producentens varenummer:
- J113
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Undertype | JFET | |
| Produkttype | JFET | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Portkildespænding maks. | -35 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Afløbskildestrøm Ids | 2 mA | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100Ω | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 625mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.33mm | |
| Bredde | 4.19 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Undertype JFET | ||
Produkttype JFET | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Portkildespænding maks. -35 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Afløbskildestrøm Ids 2 mA | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100Ω | ||
Effektafsættelse maks. Pd 625mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.33mm | ||
Bredde 4.19 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal JFET, Fairchild Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.