onsemi, JFET, Type N-Kanal, JFET-Kanal 30 V Enkelt 5 to 30 mA, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 864-7846P
- Producentens varenummer:
- MMBF4393LT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 500 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 582,00
(ekskl. moms)
Kr. 727,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 500 - 950 | Kr. 1,164 |
| 1000 + | Kr. 1,008 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 864-7846P
- Producentens varenummer:
- MMBF4393LT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | JFET | |
| Undertype | JFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 225mW | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100Ω | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Afløbskildestrøm Ids | 5 to 30 mA | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.01mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype JFET | ||
Undertype JFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Effektafsættelse maks. Pd 225mW | ||
Drain source modstand maks. Rds 100Ω | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Afløbskildestrøm Ids 5 to 30 mA | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.01mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal JFET, ON Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.