STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh Nej STP12NM50FP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 692,95

(ekskl. moms)

Kr. 866,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 450Kr. 13,859Kr. 692,95
500 +Kr. 13,167Kr. 658,35

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-409
Producentens varenummer:
STP12NM50FP
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Serie

MDmesh

Emballagetype

TO-220FP

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

350mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Portkildespænding maks.

±30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

30.6mm

Længde

15.85mm

Bredde

10.4 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET, Denne enhed er udviklet ved hjælp af MDmesh-teknologi, som forbinder multiple drain-processen med virksomhedens horisontale PowerMESH-layout. Disse enheder har ekstremt lav on-modstand, høj dv/dt og fremragende lavineegenskaber. Ved hjælp af ST's egen strip-teknik har disse Power MOSFET'er en samlet dynamisk ydeevne, som er bedre end lignende produkter på markedet.

100 % lavinetestet

Lav indgangskapacitans og gate-ladning

Lav gate-indgangsmodstand

Relaterede links