STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 21 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh
- RS-varenummer:
- 151-411
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-29-903
- Producentens varenummer:
- STP12NM50FP
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 141,82
(ekskl. moms)
Kr. 177,27
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 910 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 28,364 | Kr. 141,82 |
| 50 - 120 | Kr. 24,49 | Kr. 122,45 |
| 125 + | Kr. 19,688 | Kr. 98,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-411
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-29-903
- Producentens varenummer:
- STP12NM50FP
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 350mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Højde | 30.6mm | |
| Længde | 15.85mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 350mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 10.4mm | ||
Højde 30.6mm | ||
Længde 15.85mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET, Denne enhed er udviklet ved hjælp af MDmesh-teknologi, som forbinder multiple drain-processen med virksomhedens horisontale PowerMESH-layout. Disse enheder har ekstremt lav on-modstand, høj dv/dt og fremragende lavineegenskaber. Ved hjælp af ST's egen strip-teknik har disse Power MOSFET'er en samlet dynamisk ydeevne, som er bedre end lignende produkter på markedet.
100 % lavinetestet
Lav indgangskapacitans og gate-ladning
Lav gate-indgangsmodstand
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 9 A 950 V Forbedring TO-220FP, MDmesh K5
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-220FP SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 650 V Forbedring TO-220FP, MDmesh M2