STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 950 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh K5 Nej STF6N95K5
- RS-varenummer:
- 151-419
- Producentens varenummer:
- STF6N95K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 551,05
(ekskl. moms)
Kr. 688,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 11,021 | Kr. 551,05 |
| 500 + | Kr. 10,471 | Kr. 523,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-419
- Producentens varenummer:
- STF6N95K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 950V | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.25Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 950V | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.25Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er designet ved hjælp af MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ, proprietær vertikal struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion i on-modstand og ultra lav gate-ladning til applikationer, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.
Branchens laveste RDS(on) x areal
Branchens bedste FoM
Ultra lav gate-ladning
100% lavinetestet
Zenerbeskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 9 A 950 V TO-220, MDmesh K5 STF6N95K5
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 950 V TO-220 SuperMESH5 STP15N95K5
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 950 V TO-220 SuperMESH5 STP10N95K5
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 950 V TO-247 SuperMESH5 STW10N95K5
- STMicroelectronics N-Kanal 2 A 950 V DPAK (TO-252) SuperMESH5 STD2N95K5
- STMicroelectronics N-Kanal 9 A 950 V DPAK, MDmesh K5 STD6N95K5
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 800 V TO-220 SuperMESH5 STP13N80K5
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 800 V TO-220 SuperMESH5 STP15N80K5
