STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 2.4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH Nej STD3NK60ZT4

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 54,90

(ekskl. moms)

Kr. 68,62

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.420 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 2,745Kr. 54,90
200 - 480Kr. 2,607Kr. 52,14
500 - 980Kr. 2,424Kr. 48,48
1000 - 1980Kr. 2,226Kr. 44,52
2000 +Kr. 2,147Kr. 42,94

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-418
Producentens varenummer:
STD3NK60ZT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.4A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Serie

SuperMESH

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.6Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.8nC

Portkildespænding maks.

±30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.4mm

Længde

10.1mm

Bredde

6.6 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af Super MESH-teknologien, en optimering af den veletablerede Power MESH. Ud over en betydelig reduktion af modstand er disse enheder designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

100% lavine testet

Gate-opladning minimeres

Meget lav intern kapacitet

Zenerbeskyttet

Relaterede links