STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II
- RS-varenummer:
- 151-423P
- Producentens varenummer:
- STL3NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 825,80
(ekskl. moms)
Kr. 1.032,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.720 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 490 | Kr. 8,258 |
| 500 - 990 | Kr. 7,136 |
| 1000 - 2990 | Kr. 6,814 |
| 3000 + | Kr. 6,582 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-423P
- Producentens varenummer:
- STL3NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerFLAT (3, 3 x 3, 3) HV | |
| Serie | MDmesh II | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 22W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerFLAT (3, 3 x 3, 3) HV | ||
Serie MDmesh II | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 22W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af anden generation af MDmesh-teknologi. Denne revolutionerende Power MOSFET forbinder en vertikal struktur med virksomhedens striplayout for at give en af verdens laveste modstand. Den er derfor velegnet til de mest krævende konvertere med høj effektivitet.
100% lavine testet
Lav indgangskapacitet og gate-opladning