STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 1 A 200 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, STN

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 38,08

(ekskl. moms)

Kr. 47,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 3.180 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 1,904Kr. 38,08
200 - 480Kr. 1,81Kr. 36,20
500 - 980Kr. 1,668Kr. 33,36
1000 - 1980Kr. 1,541Kr. 30,82
2000 +Kr. 1,481Kr. 29,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-425
Producentens varenummer:
STN4NF20L
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

STN

Emballagetype

SOT-223

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

1.5Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.9nC

Effektafsættelse maks. Pd

3.3W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien er udviklet ved hjælp af STripFET-processen, som er specielt designet til at minimere indgangskapacitet og gate-ladning. Dette gør enheden velegnet til brug som primærkontakt i avancerede isolerede DC-til-DC-konvertere med høj effektivitet.

Fremragende dv/dt-kapacitet

100% lavine testet

Lav gate-opladning

Relaterede links