STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 1 A 200 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, STN
- RS-varenummer:
- 151-425P
- Producentens varenummer:
- STN4NF20L
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 1000 flere for at gemme Kr. 587,00
Se mængderabatterIndhold 200 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 494,40
(ekskl. moms)
Kr. 618,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.560 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 200 - 980 | Kr. 2,472 | - |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,885 | Kr. 587,00 |
| 2000 + | Kr. 1,687 | Kr. 1.570,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-425P
- Producentens varenummer:
- STN4NF20L
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | STN | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.3W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie STN | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.3W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien er udviklet ved hjælp af STripFET-processen, som er specielt designet til at minimere indgangskapacitet og gate-ladning. Dette gør enheden velegnet til brug som primærkontakt i avancerede isolerede DC-til-DC-konvertere med høj effektivitet.
Fremragende dv/dt-kapacitet
100% lavine testet
Lav gate-opladning