STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 151-428P
- Producentens varenummer:
- STB11NK40ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 383,00
(ekskl. moms)
Kr. 479,00
(inkl. moms)
Tilføj 70 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 1.975 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 7,66 |
| 100 - 495 | Kr. 7,12 |
| 500 + | Kr. 6,538 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-428P
- Producentens varenummer:
- STB11NK40ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.55Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 10.4 mm | |
| Længde | 15.85mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SuperMESH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.55Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 10.4 mm | ||
Længde 15.85mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af Super MESH-teknologien, en optimering af den veletablerede Power MESH. Ud over en betydelig reduktion af modstand er disse enheder designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.
100% lavine testet
Gate-opladning minimeres
Meget lav intern kapacitet
Zenerbeskyttet