STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 151-431
- Producentens varenummer:
- STF3NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 493,70
(ekskl. moms)
Kr. 617,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.650 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 9,874 | Kr. 493,70 |
| 500 - 950 | Kr. 9,371 | Kr. 468,55 |
| 1000 + | Kr. 8,689 | Kr. 434,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-431
- Producentens varenummer:
- STF3NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Serie | SuperMESH | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Serie SuperMESH | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af Super MESH-teknologi, der er opnået gennem optimering af et veletableret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion i on-modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende applikationer.
100 % lavinetestet
Gate-ladning minimeret
Meget lav egenkapacitet
Zenerbeskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring IPAK SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-220FP SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 800 V Forbedring TO-252, SuperMESH