STMicroelectronics N-Kanal, Effekt MOSFET, 5.2 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 714-1085
- Producentens varenummer:
- STP7NK80ZFP
- Brand:
- STMicroelectronics
Tilføj 20 flere for at gemme 37%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 52,21
(ekskl. moms)
Kr. 65,26
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Plus 24 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
- Plus 1.826 enhed(er) afsendes fra 16. november 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 26,105 | Kr. 52,21 | - |
| 20 - 98 | Kr. 16,265 | Kr. 32,53 | 37% |
| 100 - 198 | Kr. 12,40 | Kr. 24,80 | 52% |
| 200 + | Kr. 11,095 | Kr. 22,19 | 57% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 714-1085
- Producentens varenummer:
- STP7NK80ZFP
- Brand:
- STMicroelectronics
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC JESD97 | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Højde | 9.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC JESD97 | ||
Bredde 4.6mm | ||
Højde 9.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-263 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 10.5 A 800 V Forbedring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-220FP SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-263, SuperMESH
