STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 10.5 A 800 V, 3 ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH STP12NK80Z
- RS-varenummer:
- 687-5263
- Producentens varenummer:
- STP12NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 687-5263
- Producentens varenummer:
- STP12NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 10.5 A | |
| Drain source spænding maks. | 800 V | |
| Kapslingstype | TO-220 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 750 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Effektafsættelse maks. | 190000 mW | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 87 nC ved 10 V | |
| Højde | 9.15mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 10.5 A | ||
Drain source spænding maks. 800 V | ||
Kapslingstype TO-220 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 750 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4.5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 3V | ||
Effektafsættelse maks. 190000 mW | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 10.4mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bredde 4.6mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 87 nC ved 10 V | ||
Højde 9.15mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 10 3 ben MDmesh, SuperMESH STP12NK80Z
- STMicroelectronics N-Kanal 5 3 ben MDmesh, SuperMESH STP7NK80Z
- STMicroelectronics N-Kanal 9 A 800 V TO-220 SuperMESH STP10NK80Z
- STMicroelectronics N-Kanal 3 A 800 V TO-220 SuperMESH STP4NK80Z
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh, SuperMESH STP3NK80Z
- STMicroelectronics N-Kanal 4.3 A 800 V TO-220 SuperMESH STP5NK80Z
- STMicroelectronics N-Kanal 4 3 ben MDmesh, SuperMESH STP5NK80Z
- STMicroelectronics N-Kanal 5.2 A 800 V TO-220 SuperMESH STP7NK80Z
