STMicroelectronics Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH Nej STP11NK50Z
- RS-varenummer:
- 485-7456
- Producentens varenummer:
- STP11NK50Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 118,48
(ekskl. moms)
Kr. 148,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.850 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 23,696 | Kr. 118,48 |
| 10 - 20 | Kr. 21,482 | Kr. 107,41 |
| 25 - 95 | Kr. 20,256 | Kr. 101,28 |
| 100 - 495 | Kr. 15,708 | Kr. 78,54 |
| 500 + | Kr. 13,374 | Kr. 66,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 485-7456
- Producentens varenummer:
- STP11NK50Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.52Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.15mm | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK, JEDEC JESD97 | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie SuperMESH | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.52Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.15mm | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK, JEDEC JESD97 | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 500 V Forbedring TO-220, SuperMESH Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10.5 A 800 V Forbedring TO-220, SuperMESH Nej STP12NK80Z
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-263, SuperMESH Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-263, SuperMESH Nej STB4NK60ZT4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220, SuperMESH Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej STP7NK80ZFP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220, SuperMESH Nej
