STMicroelectronics Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 5.2 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 168-6821
- Producentens varenummer:
- STP7NK80ZFP
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 610,35
(ekskl. moms)
Kr. 762,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.800 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 12,207 | Kr. 610,35 |
| 100 - 200 | Kr. 9,522 | Kr. 476,10 |
| 250 + | Kr. 8,571 | Kr. 428,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-6821
- Producentens varenummer:
- STP7NK80ZFP
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Serie | SuperMESH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.3mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC JESD97 | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Serie SuperMESH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.3mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC JESD97 | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej STP7NK80ZFP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej STF3NK80Z
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10.5 A 800 V Forbedring TO-220, SuperMESH Nej STP12NK80Z
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-263, SuperMESH Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-263, SuperMESH Nej STB4NK60ZT4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej STP6NK60ZFP
