STMicroelectronics Type N-Kanal, SuperMESH Effekt MOSFET, 4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH Nej STB4NK60ZT4

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
687-5190
Producentens varenummer:
STB4NK60ZT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

SuperMESH Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

SuperMESH

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

70W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC JESD97

Længde

10.4mm

Højde

4.6mm

Bredde

9.35 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links