STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 151-443
- Producentens varenummer:
- STP20NK50Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 206,90
(ekskl. moms)
Kr. 258,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.495 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 41,38 | Kr. 206,90 |
| 50 - 120 | Kr. 35,71 | Kr. 178,55 |
| 125 + | Kr. 28,724 | Kr. 143,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-443
- Producentens varenummer:
- STP20NK50Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.27Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 119nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SuperMESH | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.27Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 119nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af Super MESH-teknologi, der er opnået gennem optimering af et veletableret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion i on-modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende applikationer.
100 % lavinetestet
Gate-ladning minimeret
Meget lav egenkapacitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 500 V Forbedring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7.2 A 500 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 53 A 500 V Forbedring ISOTOP SuperMESH