STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 400 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH3
- RS-varenummer:
- 151-444
- Producentens varenummer:
- STN3N40K3
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 7.828,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.784,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 1,957 | Kr. 7.828,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-444
- Producentens varenummer:
- STN3N40K3
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | SuperMESH3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.7mm | |
| Højde | 1.8mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie SuperMESH3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.7mm | ||
Højde 1.8mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er resultatet af forbedringer anvendt på Super MESH-teknologi, kombineret med en ny optimeret vertikal struktur. Denne enhed kan prale af en ekstremt lav modstand ved tænding, fremragende dynamisk ydeevne og høj lavineevne, hvilket gør den velegnet til de mest krævende anvendelser.
Ekstremt høj dv/dt-kapacitet
Gate-opladning minimeres
Meget lav intern kapacitet
Forbedrede diodeomvendt genopretningsegenskaber
Zenerbeskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 1.8 A 400 V Forbedring SOT-223, SuperMESH3
- STMicroelectronics N-Kanal 600 mA 450 V Forbedring SOT-223 SuperMESH3
- STMicroelectronics N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring SOT-223 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 5.5 A 25 V Forbedring SOT-223, STN6N60M2
- Infineon N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.8 A 100 V Forbedring SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal -1.8 A -60 V Forbedring SOT-223, IRFL9014
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, STN3N
