STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 400 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH3

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 7.828,00

(ekskl. moms)

Kr. 9.784,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 1,957Kr. 7.828,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-444
Producentens varenummer:
STN3N40K3
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.8A

Drain source spænding maks. Vds

400V

Emballagetype

SOT-223

Serie

SuperMESH3

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

3.4Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.7mm

Højde

1.8mm

Længde

6.7mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er resultatet af forbedringer anvendt på Super MESH-teknologi, kombineret med en ny optimeret vertikal struktur. Denne enhed kan prale af en ekstremt lav modstand ved tænding, fremragende dynamisk ydeevne og høj lavineevne, hvilket gør den velegnet til de mest krævende anvendelser.

Ekstremt høj dv/dt-kapacitet

Gate-opladning minimeres

Meget lav intern kapacitet

Forbedrede diodeomvendt genopretningsegenskaber

Zenerbeskyttet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.