STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 400 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH3 Nej STN3N40K3
- RS-varenummer:
- 151-444
- Producentens varenummer:
- STN3N40K3
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 5.572,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.964,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 1,393 | Kr. 5.572,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-444
- Producentens varenummer:
- STN3N40K3
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Serie | SuperMESH3 | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.8mm | |
| Bredde | 3.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Serie SuperMESH3 | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.8mm | ||
Bredde 3.7 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 6.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er resultatet af forbedringer anvendt på Super MESH-teknologi, kombineret med en ny optimeret vertikal struktur. Denne enhed kan prale af en ekstremt lav modstand ved tænding, fremragende dynamisk ydeevne og høj lavineevne, hvilket gør den velegnet til de mest krævende anvendelser.
Ekstremt høj dv/dt-kapacitet
Gate-opladning minimeres
Meget lav intern kapacitet
Forbedrede diodeomvendt genopretningsegenskaber
Zenerbeskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1.8 A 400 V Forbedring SOT-223, SuperMESH3 Nej STN3N40K3
- STMicroelectronics Type N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring SOT-223 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring SOT-223 Nej STN1HNK60
- Vishay Type P-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, IRFL Nej
- Vishay Type P-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, IRFL Nej IRFL9014TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.8 A 100 V Forbedring SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101 BSP295H6327XTSA1
