STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 400 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH3 Nej STN3N40K3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 96,58

(ekskl. moms)

Kr. 120,72

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.760 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 4,829Kr. 96,58
200 - 480Kr. 4,582Kr. 91,64
500 - 980Kr. 4,245Kr. 84,90
1000 - 1980Kr. 3,92Kr. 78,40
2000 +Kr. 3,763Kr. 75,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-445
Producentens varenummer:
STN3N40K3
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.8A

Drain source spænding maks. Vds

400V

Serie

SuperMESH3

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

3.4Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

1.8mm

Længde

6.7mm

Bredde

3.7 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er resultatet af forbedringer anvendt på Super MESH-teknologi, kombineret med en ny optimeret vertikal struktur. Denne enhed kan prale af en ekstremt lav modstand ved tænding, fremragende dynamisk ydeevne og høj lavineevne, hvilket gør den velegnet til de mest krævende anvendelser.

Ekstremt høj dv/dt-kapacitet

Gate-opladning minimeres

Meget lav intern kapacitet

Forbedrede diodeomvendt genopretningsegenskaber

Zenerbeskyttet

Relaterede links