STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 400 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH3
- RS-varenummer:
- 151-445P
- Producentens varenummer:
- STN3N40K3
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 200 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 916,40
(ekskl. moms)
Kr. 1.145,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.760 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 200 - 480 | Kr. 4,582 |
| 500 - 980 | Kr. 4,245 |
| 1000 - 1980 | Kr. 3,92 |
| 2000 + | Kr. 3,763 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-445P
- Producentens varenummer:
- STN3N40K3
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | SuperMESH3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.8mm | |
| Bredde | 3.7 mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie SuperMESH3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.8mm | ||
Bredde 3.7 mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er resultatet af forbedringer anvendt på Super MESH-teknologi, kombineret med en ny optimeret vertikal struktur. Denne enhed kan prale af en ekstremt lav modstand ved tænding, fremragende dynamisk ydeevne og høj lavineevne, hvilket gør den velegnet til de mest krævende anvendelser.
Ekstremt høj dv/dt-kapacitet
Gate-opladning minimeres
Meget lav intern kapacitet
Forbedrede diodeomvendt genopretningsegenskaber
Zenerbeskyttet