STMicroelectronics Dual N-Kanal, MOSFET, 0.4 A 450 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SuperMESH

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 13.420,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.775,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 5,368Kr. 13.420,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-446
Producentens varenummer:
STS1DNC45
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Dual N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.4A

Drain source spænding maks. Vds

450V

Emballagetype

SO-8

Serie

SuperMESH

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.5Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Min. driftstemperatur

-65°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af veletableret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

Standardkontur til nem automatisk montering til overflademontering

Gate-opladning minimeres

Relaterede links