STMicroelectronics Dual N-Kanal, MOSFET, 0.4 A 450 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 151-447P
- Producentens varenummer:
- STS1DNC45
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.091,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.364,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.960 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 10,913 |
| 250 - 490 | Kr. 10,135 |
| 500 - 990 | Kr. 9,305 |
| 1000 + | Kr. 8,961 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-447P
- Producentens varenummer:
- STS1DNC45
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 450V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Dual N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 450V | ||
Serie SuperMESH | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af veletableret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.
Standardkontur til nem automatisk montering til overflademontering
Gate-opladning minimeres