STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 1500 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5
- RS-varenummer:
- 151-450
- Producentens varenummer:
- STW12N150K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 61,41
(ekskl. moms)
Kr. 76,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 574 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 61,41 |
| 10 - 99 | Kr. 36,05 |
| 100 + | Kr. 35,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-450
- Producentens varenummer:
- STW12N150K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1500V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1500V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er designet ved hjælp af MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ, proprietær vertikal struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion i on-modstand og ultra lav gate-ladning til applikationer, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.
Branchens laveste RDS(on) x areal
Branchens bedste FoM
Ultra lav gate-ladning
100% lavinetestet
Zenerbeskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 1500 V Forbedring TO-247, MDmesh K5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 1200 V Forbedring TO-247, MDmesh K5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 800 V Forbedring TO-247 SuperMESH5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 19.5 A 800 V Forbedring TO-247 SuperMESH5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 1500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 1500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 1500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 9 A 950 V Forbedring TO-252, MDmesh K5