STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 1.502,67

(ekskl. moms)

Kr. 1.878,33

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 570 enhed(er) afsendes fra 17. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 50,089Kr. 1.502,67

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-922
Producentens varenummer:
STW8N120K5
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-247

Serie

MDmesh K5

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

130W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er designet ved hjælp af MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ, proprietær vertikal struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion i on-modstand og ultra lav gate-ladning til applikationer, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.

Branchens laveste RDS(on) x areal

Branchens bedste FoM

Ultra lav gate-ladning

100% lavinetestet

Zenerbeskyttet

Relaterede links