STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5 Nej STW8N120K5

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 1.502,67

(ekskl. moms)

Kr. 1.878,33

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 570 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 50,089Kr. 1.502,67

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-922
Producentens varenummer:
STW8N120K5
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

MDmesh K5

Emballagetype

TO-247

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.7nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

130W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er designet ved hjælp af MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ, proprietær vertikal struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion i on-modstand og ultra lav gate-ladning til applikationer, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.

Branchens laveste RDS(on) x areal

Branchens bedste FoM

Ultra lav gate-ladning

100% lavinetestet

Zenerbeskyttet

Relaterede links