STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- RS-varenummer:
- 151-453
- Producentens varenummer:
- STW20NM60
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 853,62
(ekskl. moms)
Kr. 1.067,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | Kr. 28,454 | Kr. 853,62 |
| 150 - 270 | Kr. 27,117 | Kr. 813,51 |
| 300 + | Kr. 23,445 | Kr. 703,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-453
- Producentens varenummer:
- STW20NM60
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.29Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 50°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 15.75mm | |
| Længde | 34.95mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 5.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.29Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 50°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 15.75mm | ||
Længde 34.95mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 5.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET forbinder processen med flere dræn med virksomhedens horisontale Power MESH-layout. Det resulterende produkt har en enestående lav on-modstand, imponerende høj dv/dt og fremragende lavineegenskaber. Anvendelsen af virksomhedens egen strip-teknik giver en samlet dynamisk ydeevne, der er betydeligt bedre end tilsvarende konkurrenters produkter.
100 % lavinetestet
Lav indgangskapacitans og gate-ladning
Lav gate-indgangsmodstand
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 39 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 68 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh M2