STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 43,01

(ekskl. moms)

Kr. 53,762

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 504 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 21,505Kr. 43,01

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-455
Producentens varenummer:
STW20NM60
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-247

Serie

MDmesh

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.29Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

39nC

Min. driftstemperatur

50°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

34.95mm

Bredde

15.75 mm

Højde

5.15mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET forbinder processen med flere dræn med virksomhedens horisontale Power MESH-layout. Det resulterende produkt har en enestående lav on-modstand, imponerende høj dv/dt og fremragende lavineegenskaber. Anvendelsen af virksomhedens egen strip-teknik giver en samlet dynamisk ydeevne, der er betydeligt bedre end tilsvarende konkurrenters produkter.

100 % lavinetestet

Lav indgangskapacitans og gate-ladning

Lav gate-indgangsmodstand

Relaterede links