STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 43,01

(ekskl. moms)

Kr. 53,762

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 504 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 21,505Kr. 43,01

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-455
Producentens varenummer:
STW20NM60
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-247

Serie

MDmesh

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.29Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

50°C

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

39nC

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

5.15mm

Længde

34.95mm

Bredde

15.75 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET forbinder processen med flere dræn med virksomhedens horisontale Power MESH-layout. Det resulterende produkt har en enestående lav on-modstand, imponerende høj dv/dt og fremragende lavineegenskaber. Anvendelsen af virksomhedens egen strip-teknik giver en samlet dynamisk ydeevne, der er betydeligt bedre end tilsvarende konkurrenters produkter.

100 % lavinetestet

Lav indgangskapacitans og gate-ladning

Lav gate-indgangsmodstand

Relaterede links