STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 54 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M9 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 82,28

(ekskl. moms)

Kr. 102,85

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 82,28

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-783
Producentens varenummer:
STWA65N045M9
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

54A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

MDmesh M9

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8nC

Effektafsættelse maks. Pd

312W

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

20.10mm

Bredde

15.90 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh M9-teknologi, der er velegnet til mellem-/højspændings-MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. areal. Den siliciumbaserede M9-teknologi nyder godt af en fremstillingsproces med flere afløb, som muliggør en forbedret enhedsstruktur. Det resulterende produkt har en af de laveste on-modstande og reducerede gate-ladningsværdier blandt alle siliciumbaserede hurtigt skiftende super-junction Power MOSFET'er, hvilket gør den særligt velegnet til applikationer, der kræver overlegen effekttæthed og enestående effektivitet

Højere VDSS-klassificering

Højere dv/dt-kapacitet

Fremragende koblingsydelse

Let at drive

Relaterede links