STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 54 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M9
- RS-varenummer:
- 151-783
- Producentens varenummer:
- STWA65N045M9
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 151-783
- Producentens varenummer:
- STWA65N045M9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 54A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh M9 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 312W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 20.10mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 54A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh M9 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 312W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 20.10mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh M9-teknologi, der er velegnet til mellem-/højspændings-MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. areal. Den siliciumbaserede M9-teknologi nyder godt af en fremstillingsproces med flere afløb, som muliggør en forbedret enhedsstruktur. Det resulterende produkt har en af de laveste on-modstande og reducerede gate-ladningsværdier blandt alle siliciumbaserede hurtigt skiftende super-junction Power MOSFET'er, hvilket gør den særligt velegnet til applikationer, der kræver overlegen effekttæthed og enestående effektivitet
Højere VDSS-klassificering
Højere dv/dt-kapacitet
Fremragende koblingsydelse
Let at drive