STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET II

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 57,30

(ekskl. moms)

Kr. 71,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.010 enhed(er) afsendes fra 23. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 5,73Kr. 57,30
100 - 240Kr. 5,43Kr. 54,30
250 - 490Kr. 5,042Kr. 50,42
500 - 990Kr. 4,638Kr. 46,38
1000 +Kr. 4,458Kr. 44,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-907
Producentens varenummer:
STD12NF06LT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

STripFET II

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Portkildespænding maks.

±16 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

2.4mm

Længde

10.1mm

Bredde

6.6 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er specielt designet til at minimere indgangskapacitans og gate-ladning. Det gør enheden velegnet til brug som primær switch i avancerede, højeffektive, isolerede DC-DC-konvertere til telekommunikations- og computerapplikationer og applikationer med krav om lav gate-ladning.

Enestående dv/dt-kapacitet

100 % lavinetestet

Lav gate-ladning

Relaterede links