STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET II Nej STD12NF06LT4

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 57,30

(ekskl. moms)

Kr. 71,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.070 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 5,73Kr. 57,30
100 - 240Kr. 5,43Kr. 54,30
250 - 490Kr. 5,042Kr. 50,42
500 - 990Kr. 4,638Kr. 46,38
1000 +Kr. 4,458Kr. 44,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-907
Producentens varenummer:
STD12NF06LT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

STripFET II

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.5nC

Portkildespænding maks.

±16 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.1mm

Bredde

6.6 mm

Højde

2.4mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er specielt designet til at minimere indgangskapacitans og gate-ladning. Det gør enheden velegnet til brug som primær switch i avancerede, højeffektive, isolerede DC-DC-konvertere til telekommunikations- og computerapplikationer og applikationer med krav om lav gate-ladning.

Enestående dv/dt-kapacitet

100 % lavinetestet

Lav gate-ladning

Relaterede links