STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- RS-varenummer:
- 151-907
- Producentens varenummer:
- STD12NF06LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 54,83
(ekskl. moms)
Kr. 68,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,483 | Kr. 54,83 |
| 100 - 490 | Kr. 3,62 | Kr. 36,20 |
| 500 - 990 | Kr. 2,798 | Kr. 27,98 |
| 1000 - 2490 | Kr. 2,551 | Kr. 25,51 |
| 2500 + | Kr. 2,483 | Kr. 24,83 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-907
- Producentens varenummer:
- STD12NF06LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er specielt designet til at minimere indgangskapacitans og gate-ladning. Det gør enheden velegnet til brug som primær switch i avancerede, højeffektive, isolerede DC-DC-konvertere til telekommunikations- og computerapplikationer og applikationer med krav om lav gate-ladning.
Enestående dv/dt-kapacitet
100 % lavinetestet
Lav gate-ladning
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 250 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 25 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 24 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET