STMicroelectronics Type P-Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET F6
- RS-varenummer:
- 151-912
- Producentens varenummer:
- STD35P6LLF6
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme Kr. 279,00
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 74,05
(ekskl. moms)
Kr. 92,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.370 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,81 | Kr. 74,05 | - |
| 50 - 245 | Kr. 9,23 | Kr. 46,15 | Kr. 279,00 |
| 250 - 495 | Kr. 7,032 | Kr. 35,16 | Kr. 1.944,50 |
| 500 + | Kr. 6,298 | Kr. 31,49 | Kr. 4.256,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-912
- Producentens varenummer:
- STD35P6LLF6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | STripFET F6 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.028Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie STripFET F6 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.028Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics P-kanals effekt MOSFET, der er udviklet med STripFET F6-teknologi, med en ny grøftportstruktur. Den resulterende Power MOSFET har meget lav RDS(on) i alle kabinetter.
Meget lav modstand ved tændt
Meget lav gate-opladning
Høj lavine-robusthed
Lavt strømtab for gate-drev
Relaterede links
- STMicroelectronics Type P-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET F6
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type P-Kanal 10 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 23 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 24 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET