STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5
- RS-varenummer:
- 151-914P
- Producentens varenummer:
- STH13N120K5-2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 676,90
(ekskl. moms)
Kr. 846,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 67,69 |
| 100 - 499 | Kr. 62,31 |
| 500 + | Kr. 57,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-914P
- Producentens varenummer:
- STH13N120K5-2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Emballagetype | H2PAK-2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.69Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 4.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Emballagetype H2PAK-2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.69Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 4.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er designet med MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ proprietær vertikal struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion af modstand på modstand og meget lav gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
AEC Q101 kvalificeret
Industriens laveste RDS(on) x område
Industriens bedste FoM
Ultra lav gate-ladning
100% lavine testet
Zenerbeskyttet