STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 300 mA 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH Nej STN1NK60Z

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 41,22

(ekskl. moms)

Kr. 51,52

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.960 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 2,061Kr. 41,22
200 - 480Kr. 1,96Kr. 39,20
500 - 980Kr. 1,814Kr. 36,28
1000 - 1980Kr. 1,668Kr. 33,36
2000 +Kr. 1,608Kr. 32,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-928
Producentens varenummer:
STN1NK60Z
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300mA

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-223

Serie

SuperMESH

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

15Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.9nC

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.7 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

6.7mm

Højde

1.8mm

Distrelec Product Id

304-37-475

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af et veletableret strimmelbaseret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

100% lavine testet

Gate-opladning minimeres

Forbedret SD-kapacitet

Zenerbeskyttet

Relaterede links