STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 300 mA 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 41,22

(ekskl. moms)

Kr. 51,52

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 3.960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 2,061Kr. 41,22
200 - 480Kr. 1,96Kr. 39,20
500 - 980Kr. 1,814Kr. 36,28
1000 - 1980Kr. 1,668Kr. 33,36
2000 +Kr. 1,608Kr. 32,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-928
Elfa Distrelec varenummer:
304-37-475
Producentens varenummer:
STN1NK60Z
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300mA

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-223

Serie

SuperMESH

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

15Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.9nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

6.7mm

Højde

1.8mm

Bredde

3.7 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af et veletableret strimmelbaseret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

100% lavine testet

Gate-opladning minimeres

Forbedret SD-kapacitet

Zenerbeskyttet

Relaterede links

Recently viewed