STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 300 mA 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 151-928P
- Producentens varenummer:
- STN1NK60Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 1000 flere for at gemme Kr. 923,00
Se mængderabatterIndhold 200 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 776,40
(ekskl. moms)
Kr. 970,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 200 - 980 | Kr. 3,882 | - |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,959 | Kr. 923,00 |
| 2000 + | Kr. 2,648 | Kr. 2.468,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-928P
- Producentens varenummer:
- STN1NK60Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.9nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.8mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bredde | 3.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.9nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.8mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Bredde 3.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af et veletableret strimmelbaseret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.
100% lavine testet
Gate-opladning minimeres
Forbedret SD-kapacitet
Zenerbeskyttet